曝光
确定曝光时间的方法是使用云斯顿17级光密度表或斯托夫21级密度表,而且需凭经验进行观察。
严格来讲,
j-光的强度,mw/cm平方;曝光一般在曝光机内进行,目前的曝光机依据光源冷却方式可分为风冷和水冷,曝光质量取决于除干膜致抗蚀剂、光源选择、曝光时间、菲林胶片质量等因素。
②曝光时间的控制曝光时间是影响干膜图像非常重要的因素。
曝光显影工艺主要应用于微电子加工中,是一种将芯片图案传递到硅片上的技术。
曝光显影工艺可以分为以下步骤:
显影:将曝光后的硅片浸泡在显影液中,在此过程中,光刻胶会在掩膜中没有被曝光的部分(即需要去除的图案区域)中被消蚀,并暴露出硅片表面。刻蚀:在暴露出的芯片表面上利用化学或物理方法以去除未被的光刻胶保护的硅表面材料,制造出所需的芯片图案。这些步骤相互整合,完成硅片的制造。在不同的制造要求下,整个曝光显影工艺过程的条件和具体流程可能会有所不同。曝光显影作为玻璃外观修饰的重要工艺,目前技术工艺方面都已趋于稳定,众多设备厂家涉猎这方面的技术。3D曲面CG玻璃须与中框的结合,但是3D曲面玻璃本身物理加工存在难以去除的公差,进行曝光工艺加工时工艺区间被压缩,曝光不足,导致单体聚合不,那么在显影过程中,会使的胶膜变软,线条不清晰,色泽暗淡,脱胶。曝光过度,会造成难显影,留有残胶。同时曝光影响图案的线宽,过量曝光会使图形线条变细,蚀刻产品线条变粗。