8分钟前 武汉DFB激光器来电垂询「沐普科技」[沐普科技1b75b01]内容：当前，DFB激光器芯片技术基本上由德国、美国、日本等发达国家掌握，比如德国Nanoplus、Sacher、Eagleyard、Toptica公司，美国Thorlabs、EM4、Power Technology、Sarnoff公司，日本NTT、Oclaro等公司。厂商非常多，但能够实现商业化生产的厂家并不多，主要有Nanoplus、Eagleyard、NTT、Thorlabs等几家公司。国内还没有成熟的DFB芯片生产技术，由于成品率低基本上没有形成商业化，国内生产的DFB激光器主要是基于对国外芯片的封装生产，主要表现为对通讯波段的生产和应用。

气体探测器使用TDLAS（可调谐二极管激光吸收光谱）发射激光来探测气体。气体分子具有独l特的红外吸收谱线。气体传感器将波长与气体吸收线匹配的激光通过气体进行测量，并高速调制驱动电流以扫描波长。然后，气体传感器测量透射光强度以测量单个独立吸收光谱，从而执行l气体检测。DFB半导体激光器的波长需要与吸收线相匹配，振荡线宽需要比吸收线窄，因此是气体传感器的选择。甲l烷气体的吸收光谱如下所示。由于1653nm吸收光谱具有足够的吸收强度，且附近没有其它气体吸收光谱，因此通常采用TDLAS法进行l气体检测。

一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。