为了鉴定碳化硅的生成或其与周围介质发生化学反应的可能性,必须了解SIC的热力学性能。
不同生产研究者提出的碳化硅热力学常数,往往差异很大。因此,必须对原有的数据比较分析,才能得出可信的数据。比较分析过往的数值可以计算出碳化硅的热力学数据。对于耐火材料用碳化硅,可以有个非常明确的热力学性能可信值。
通过上述热力学常数计算出的元素硅和碳生成碳化硅(Si+C=SIC)发生反应时自由能和热势的变化。当碳化硅处于固态的温度范围内(<1683K),计算是按焦木金一斯瓦尔茨曼公式进行的,而在存在液态硅的范围内(1683~2800K),经过分析计算咱们可以得出结论:就热力学方面而言,在低于3000K温度下固态或液态硅与石墨相互反应便能生成碳化硅。
电学性质
常温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降,含杂质碳化硅根据其含杂质不同,导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性,现已研制出实用器件。
电学性质
常温下工业碳化硅是一种半导体,属杂质导电性。高纯度碳化硅随着温度的升高电阻率下降,含杂质碳化硅根据其含杂质不同,导电性能也不同。碳化硅的另一电性质是电致发光性,现已研制出实用器件。