技术参数
曝光光源：紫外LED
光源波长：365nm;
曝光面积：4英寸、6英寸可选；
曝光方式：单面接触式定时曝光；
曝光分辨率：2um；
曝光强度：20~200mW/cm2可调；
曝光不均匀性：≤5%；
光源平行性：≤2°；
光源寿命：≥20000h；
电源输入：AC220V±10V，50HZ
功率：250W
重量：25kg
外形尺寸：382（长）*371（宽）*435（高）
工作环境：温度0℃-40 ℃，相对湿度＜80 %
SU8模具加工平台旨在为SU8模具加工提供一个gao效、全mian的解决方案，该平台集成了桌面光刻机、匀胶机和热板等he心设备。桌面光刻机，体积小巧，采用LED光源，曝光分辨率可达2um，曝光均匀性大于90%，可实现微纳结构的精细制备；匀胶机，转速稳定性为±0.5%，转速达10000转，可确保光刻胶均匀涂敷，提高一致性；热板，温度稳定性±1%，可为SU8模具提供充分的烘烤，从而提升SU8模具结构的耐久性和机械性能。相比传统加工平台，设备体积庞大，环境要求严苛，SU8模具加工平台适应性强，光刻机占地面积小，普通实验室也可轻松部署。SU8模具加工平台，有利于客户快速实现芯片制备，为微流控技术的推广和应用提供便捷途径。
匀胶机
调速范围和时间：
I档：50~10000转/分，时间0~999s
II档：50~10000转/分，时间0~999s
适用：直径5~100mm硅片及其他材料匀胶
转速稳定性：±1％
胶的均匀性：±2％
电极功率：40W，单相110~240V
真空泵抽气速率：＞60L/min
热板
温度：0~300℃
温度稳定性：±1℃
功率：850W
台面大小：200x200mm
4．耗材4.1 硅片硅片没有特殊要求，单面抛光即可。制备SU8模具时在硅片抛光旋涂光刻胶。4.2 光刻掩膜板光刻掩膜版（又称光罩，英文为Mask Reticle），简称掩膜版，是制备SU8模具光刻工艺所使用的图形母版，由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成微结构掩膜图形，通过曝光过程将微结构图形信息转移到SU8光刻胶涂层上，实现微结构的jing确fu制。光刻掩膜版，一般可分为菲林掩膜版和玻璃掩膜版两种。
菲林掩膜板适用于制备线条宽度较大的结构，通常在20微米以上。这种掩膜板制备简单，适合制备相对宽大和较粗糙的图案。然而，由于其分辨率有限，无法满足制备细致微结构的需求。因此，对于需要制备线条宽度大于20微米的简单结构，菲林掩膜板是一个合适的选择。
玻璃掩膜板适用于制备线条宽度小于20微米的精细结构，以及需要多层对准的情况。玻璃掩膜板的制备工艺更加复杂，但由于其高分辨率，能够实现更细致、更jing确的微结构。特别是在需要制备复杂多层结构且对准精度要求较高的情况下，玻璃掩膜板具有明显优势。
在选择掩膜板类型时，应根据所需制备的图案特性、线条宽度以及对制备精度和复杂度的要求进行权衡。菲林掩膜板适用于相对简单的结构，而玻璃掩膜板则更适合制备更细致和复杂的微结构。综合考虑制备目标和技术要求，选择适当的掩膜板类型将有助于确保制备过程的成功和效率。