曝光时菲林胶片黑色部分的钢片不被感光,对于空白的蚀刻钢片感光,
曝光一般在曝光机内进行,技术关键点:低温平行光源,波长根据油墨特性进行设备,目前光源是一大难点问题。利用曝光显影工艺正好可以解决遮蔽油墨不能通过传统印刷解决的问题,具有精度高,量产性好,良率高等特点,采用曝光显影技术,遮蔽油墨可控良率可达90%以上。
曝光显影是一种用于光刻制程的技术,主要用于制造半导体芯片、液晶显示器等微电子器件。它包含两个阶段:曝光:在将光线通过掩膜中的芯片图案照射到光刻胶表面的过程中,使得光刻胶在芯片表面保留下芯片图案的影像。曝光显影工艺在微电子加工中具有重要作用,主要用于将芯片图案转移至硅片表面,从而实现微电子器件的制造。
在实际应用中,曝光显影工艺通常用于以下方面:制造微处理器:曝光显影工艺是制造微处理器的主要工艺之一,通过在芯片表面制造出各种不同的电路和器件,实现芯片的功能。
曝光不足,导致单体聚合不,那么在显影过程中,会使的胶膜变软,线条不清晰,色泽暗淡,脱胶。曝光不足,导致单体聚合不,那么在显影过程中,会使的胶膜变软,线条不清晰,色泽暗淡,脱胶。曝光过度,会造成难显影,留有残胶。同时曝光影响图案的线宽,过量曝光会使图形线条变细,尽管对193i负胶的研发已经倾注了很大的努力,但是其性能仍然与正胶有比较大的差距,所以提出负显影(Negative Tone Develop,NTD)。用负显影工艺可以实现较窄的沟槽,负显影工艺已经被广泛用于20纳米及以下技术节点的量产中曝光显影可以制造微小的电容、电阻、晶体管、发光二极管或太阳能电池等晶体管器件,快速将电信号转变为其他形式的能量。曝光显影技术可以制造出高精度微纳米级别下的芯片制造工艺,大大提高了芯片质量及其可靠性。预喷淋(pre-wet):为了提高后面显影液在硅片表面的附着性能,先在硅片表面喷上一点去离子水(Deionizedwater,DIW)。