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而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。采用连续式硫化法的情况下，不会有因切去加压成形产生的毛边或一般的挤压处理和在硫化处理槽内进行处理时橡胶管两端翘起的部分而导致的橡胶浪费，另外能够缩短制造时间和减少人工费用，因此能够降低辊筒的制造成本，从这些方面考虑，此方法优于间歇式硫化法。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。用间歇式硫化法进行硫化处理制造辊筒时，由于端部和中央部分会产生压力和热传递差，所以电阻值不均匀。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
中国的工业，由于长期处于计划经济体制内，发展比较缓慢，对于金银而言，可以说是历史悠久，源远流长了，但在改革开放前，没有纳入国家计划渠道的，直至2002年10月30日上海黄金正式开业，才宣告了计划经济时金银管理条例的失效，而铂族金属工业更是起步晚、技术落后，直到改革开放以后，才有了突飞猛进的发展，但与国际上先进的国家相比较，依然是落在人家后面，因此在中国无论是的投资储备需求，还是实际的应用需求。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。
钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。
