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真空电镀--磁控溅射镀膜技术
一、磁控溅射镀膜－溅射原理：
1.使chamber达到真空条件，一般控制在(2~5)E-5torr
2.chamber内通入Ar，并启动DC power
3.Ar发生电离：Ar ® Ar+ ＋ e-
4.在电场作用下，电子会加速飞向阳极
5.在电场作用下，Ar+会加速飞向阴极的target（靶材），target粒子及二次电子被击出，前者到达substrate（基片）表面进行薄膜成长，后者被加速至阴极途中促成更多的电离。
6.垂直方向分布的磁力线将电子约束在靶材表面附近，延长其在等离子体中的运动轨迹，提高它参与气体分子碰撞和电离过程的几率的作用。
真空电镀反应溅射：
1.在溅射镀膜时，有意识地将某种反应性气体如氮气，氧气等引入溅射室并达到一定分压，即可以改变或者控制沉积特性，从而获得不同于靶材的新物质薄膜，2.如各种金属氧化物、氮化物、碳化物及绝缘介质等薄膜。
3.直流反应溅射存在靶z毒，阳极消失问题，上个世纪80年代出现的直流脉冲或中频孪生溅射，使反应溅射可以大规模的工业应用。
4.反应磁控溅射所用的靶材料（单位素靶或多元素靶）和反应气体（氧、氮、碳氢化合物等）通常很容易获得很高的纯度，因而有利于制备高纯度的化合物薄膜。
5.反应磁控溅射中调节沉积工艺参数，可以制备化学配比或非化学配比的化合物薄膜，从而达到通过调节薄膜的组成来调控薄膜特性的目的。
6.反应磁控溅射沉积过程中基板温度一般不会有很大的升高，而且成膜过程通常也并不要求对基板进行很高温度的加热，因而对基板材料的限制较少。
7.反应磁控溅射适合于制备大面积均匀薄膜，并能实现对镀膜的大规模工业化生产。
真空镀膜和光学镀膜的原理和区别
1、真空镀膜是真空应用领域的一个重要方面，它是以真空技术为基础，利用物理或化学方法，并吸收电子束、分子束、离子束、等离子束、射频和磁控等一系列新技术，为科学研究和实际生产提供薄膜制备的一种新工艺。简单地说，在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发或溅射，使其在被涂覆的物体（称基板、基片或基体）上凝固并沉积的方法。
2、光的干涉在薄膜光学中广泛应用。光学薄膜技术的普遍方法是借助真空溅射的方式在玻璃基板上涂镀薄膜，一般用来控制基板对入射光束的反射率和透过率，以满足不同的需要。为了消除光学零件表面的反射损失，提高成像质量，涂镀一层或多层透明介质膜，称为增透膜或减反射膜。
