1000kw中频透热炉整套设备说明
电源控制板为单片机全集成化控制板，采用数字触发，具有可靠性高、启动成功率调节维修方便简单，调试容易、继电元件少。
控制线路专设集成箱与高压区全隔离，保持控制室清洁，冷却。大大提高控制线路板寿命和系统可靠性。
采用宽大的空气冷却铜排，与水冷铜排相比，更多的能量用于加热，效率增加，不需要维修。
补偿电容器：电容器全部采用新型大容量无毒介质水冷中频电容器。
中频电源内部整流部分采用1400V１８００AKP整流可控硅，并配有完整的阻容吸收，进线电感等保护元件有效延长可控硅使用寿命。
直流平波电抗器为8组单独的电抗线圈，采用T2１６×１６×1.5铜管绕制，线圈每个都是单独的个体如个别损坏只需更换单个即可，后期的维护成本将大大降低。
显示测量仪表：在中频电源柜上有：直流电流表、电压表、中频电压表、功率表、频率表。
电源起动采用零电压扫频起动，无冲击，在空载、重载、等状态时均能可靠起动态，稳定可靠，无故障时间长，方便检修。
IGBT中频透热炉维修方法主讲
1、烧IGBT中频透热炉逆变KK硅的原因及维修措施：
主要测试点：大臂波，脉变原副边波，中频输出波，反馈合成波。
1.1原因：以数设置不当。
逆变角调得太大，di/dt冲击大，此现象一般了现在设备运行一段时间，炉料已发红或快出钢水时刻。发果逆变角很大（如接近900C也可能一开始就烧KK硅。）措施：a角调在30 0C—40 0C之间，Z大不得超过42 0C。注：换向点不能出一在输出波形的顶点或左边，否则一开机就烧硅。当一只逆变可控硅烧坏后，设备常常可以启动，这时如果不注意观察设备的运行状态，让设备带病工作，中频输出电压波形是畸变的波形。
1.2原因：桥臂电感太小或饮和（相对磁环而言），吸收太浅，换同毛刺太深，使硅元件因耐压不够或di/dt太大而烧硅，此烧硅现象一般发生在钢水快出炉的时候或整炉炉料已熔化后某一时刻，或功率较大的情况下。措施：适当增大桥臂电感的电感量，如果原来为磁环，则将其换成铜管绕制的空心电感，加强吸收，使反峰毛刺控制在3/2基波幅值内。（2）中频炉使用越久，炉衬较薄，随着炉内铁水量增加，部分承受力下降导致穿炉。
1.3原因：脉变内阻太大，产生干扰。
此现象一般表现为运行中随机烧硅。如果硅元件在运行过程中被干扰，其控制极脉冲波形中有随机闪电状干扰，干扰点很亮，幅值可达到2/3脉冲幅底（有时可能与正常脉冲幅值相当，且较难观察到），大臂波中也同步出现某个波抖动，或瞬间出现短粗横线，但脉变一次是侧的波形较正常措施：先用低内阻脉冲变压器，在输出0.047-O.luf电容。3、筑炉工艺4、烘炉工艺烘炉是为了获得烧结层的过程，烧结层的好坏直接影响到了炉子的使用寿命，烘炉是一个重要的环节。
设备配置及加热工艺过程的实现：
将所需电源800KW/6KHZ为两台加热炉体供电，两台加热炉体对铜管进行加热，每台炉体对铜管进行一次快速提温后，经过短时间的保温过程，这个过程为无加热过程，为防止进入下一台感应炉时钢管低头而无法对准，中间设有机械滚轮装置定位；为了防止铜管加热过程的氧化，将两台炉体及导位部分装入一台密封的外壳之中，其中通入惰性气体；每台炉体的长度为400MM，机械滚轮装置与炉体之间的距离为单边20MM，炉体部分合计长度为800MM，考虑外壳占用部分空间，该加热部分总长度需1200MM即可。 两台炉体和一套机械滚轮装置底座均固定在同一个炉体底座上，炉体的外壳为硬质铝合金，可同时起到保护气体密闭和磁屏蔽作用，使机架、滚轮等不被漏磁感应加热；在这个全球竞争的后WTO时代，全世界的公司正对相同感觉作出更快、更轻、更便宜的反应，即所制造的产品和零件必须能在高速下运转，由于成本的压力轻、更便宜。炉体外壳设计为可拆卸式，对于炉体的检修、机械滚轮装置的更换均提供了方便。
